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电子元器件检测与故障分析手册

第1章

1.1半导体器件特性与测量基础

半导体器件的核心特性在于其导电能力随电压和温度的非线性变化，这是所有检测工作的物理基础。对于硅基二极管，正向导通电压（$V_F$）通常在0.6V~0.7V之间，超过此电压电流呈指数级增长；反向击穿电压（$V_{BR}$）则需严格控制在设备允许范围内，防止因电压过高导致器件永久性损坏。在进行万用表测量时，必须区分二极管的单向导电性：正向测得压降约0.7V，而反向测得压降接近0V，这一特征可用于快速初步判断二极管的好坏及是否开路。

测量三极管的放大倍数（$\beta$）时，需先确认集电极（C）、基极（B）和发