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硅集成电路工艺基础复习.pdfVIP

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  • 2026-04-28 发布于河北
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硅集成电路工艺基础复习.pdf

    硅集成电路工艺根底

    绪论：

    单项工艺的分类：

    I、图形转换：光刻、刻蚀

    2、掺杂：扩散、离子注

    3、制膜：氧化、化学气相淀积、物理气相淀积

    第2章氧化

    竽。2的作用：

    1、在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质，作为器件的组成局部

    2、作为集成电路的隔离介质材料

    3、作为电容器的绝缘介质材料

    4、作为多层金属互连层之间的介质材料

    5、作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料

    6、扩散时的掩蔽层，离子注的(有时与光刻胶、Si3Nq层一起使用

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