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电子元件设计与制造手册

第1章

1.1半导体物理与载流子运动

半导体材料的能带结构是理解其导电性的基石，当光照或热能激发电子时，价带中的电子跃迁至导带，留下带正电的空位，形成电子-空穴对，这是光电器件工作的基础。在纯半导体（本征半导体）中，电子和空穴浓度相等，导电主要依靠本征载流子，其迁移率受温度影响显著，温度每升高10℃，迁移率约下降20%。

掺杂是控制载流子浓度的核心工艺，将五价元素（如磷）掺入硅晶格形成n型，将三价元素（如硼）掺入形成p型，从而在界面处形成耗尽层和空间电荷区。漂移运动是载流子在电场作用下的定向移动，速度$v_d=\muE$，其中$\mu$为迁移率，$E$为电场强度，硅在强电场下速度会达到饱和，约为$1.5\times10^7$cm/s。扩散运动是载流子从高浓度区域向低浓度区域自发运动，受浓度梯度驱动，其速率与浓度差成正比，是形成PN结内建电场的前提。

复合机制导致载流子数量减少，是PN结正向导通时的主要损耗来源，复合率与温度呈指数关系，高温下复合加剧会导致器件性能下降。

1.2二极管与三极管工作原理

二极管PN结的耗尽层具有单向导电性，正向偏置时降低势垒高度，电子和空穴越过势垒形成电流，反向偏置时耗尽层变宽，电流极小。理想二极管方程$I=I_s(e^{V_D/V_T}-1)$