CN120076396A 一种半导体结构的制作方法和半导体结构 (广州增芯科技有限公司).pdfVIP

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  • 2026-04-29 发布于重庆
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CN120076396A 一种半导体结构的制作方法和半导体结构 (广州增芯科技有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120076396A

(43)申请公布日2025.05.30

(21)申请号202510232679.5

(22)申请日2025.02.28

(71)申请人广州增芯科技有限公司

地址511356广东省广州市增城区宁西街

创优路333号

(72)发明人陈昱

(74)专利代理机构上海慧晗知识产权代理事务

所(普通合伙)31343

专利代理师邵晓丽

(51)Int.Cl.

H10D84/01(2025.01)

H10D84/60(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

权利要求书2页

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