2023长鑫存储春招实习生在线笔试真题及答案.docVIP

2023长鑫存储春招实习生在线笔试真题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.在DRAM存储单元中，用于保持数据的最小刷新间隔时间通常由下列哪一项参数决定？

A.tRCDB.tRPC.tREFID.tRAS

2.下列哪一项不是FinFET结构相对于平面MOSFET的显著优势？

A.抑制短沟道效应B.降低亚阈值摆幅C.提高栅极漏电流D.增强栅控能力

3.在28nm以下工艺中，为提高铜互连可靠性，通常在其外侧沉积的一层扩散阻挡层材料是：

A.TiB.Ta/TaNC.WD.Co

4.关于存储器带宽，下列描述正确的是：

A.带宽=数据率×位宽×通道数B.带宽=核心频率×位宽C.带宽仅由IO频率决定D.带宽与突发长度无关

5.在SRAM读操作中，位线预充电压通常设定为：

A.VDDB.VDD/2C.VSSD.浮空

6.下列哪一项测试最适用于筛选DRAM单元高阻缺陷？

A.MarchC-B.GalpatC.IdDQD.Butterfly

7.在晶圆允收测试（WAT）中，用于表征栅氧质量的典型电性参数是：

A.VtlinB.IoffC.Vb