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石墨烯生产技术与质量控制手册

第1章石墨烯制备工艺原理与流程

1.1化学气相沉积法（CVD）技术原理与设备选型

CVD法利用高温下气态前驱体在基底表面发生分解反应，固态石墨烯薄膜的过程，其核心在于通过精确控制碳源分解速率与基底温度来平衡碳源利用率与石墨烯结晶度。典型设备包括加热炉（如马弗炉或连续流管）、反应腔体、气体流量计、压力传感器及温度控制模块，需具备真空或惰性气体保护功能以防止碳源氧化。

实验操作中，首先通入高纯氢气或氩气作为保护气，将反应腔体抽至10^-3Pa以下，随后通入乙炔或甲烷作为碳源，并通过质量流量控制器（MFC）设定流量比（如1:10）。在升温过程中