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光电子技术研发与应用手册

第1章光电子技术研发与应用手册

1.1半导体物理与光电子器件基本原理

半导体材料的能带结构是理解光电子器件的核心，纯净半导体（如硅）的价带顶与导带底之间存在禁带宽度（$E_g$），硅的禁带宽度约为1.12eV，这使得它在室温下通过热激发产生电子-空穴对，形成导电沟道。当光子能量$h\nu$大于半导体的禁带宽度时，光子会被吸收并激发电子从价带跃迁至导带，这一过程称为本征吸收，其吸收系数$\alpha$与入射光波长成指数关系，遵循$\alpha=Ae^{-\beta\lambda}$，其中$\beta$为吸收系数，$\lambda$