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2026年半导体AE工程师笔试真题及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题只有一个正确选项，请将正确选项字母填入括号内）

1.在增强型MOSFET工作在饱和区时，其输出电流ID主要受哪个参数控制？

A.漏源电压VDS

B.栅源电压VGS，且与(VGS-Vth)的平方成正比

C.栅源电压VGS，且与VDS成正比

D.源极电流IS

2.对于一个共源放大电路，为了增大其输出阻抗，应该采用哪种连接方式？

A.共源共栅

B.共栅

C.共漏

D.共源

3.在MOSFET的输出特性曲线（ID-VDS曲线）上，哪个区域被称为饱和区或恒流区？

A.VGSVth，VDSVGS-Vth

B.VGSVth，VDS≥VGS-Vth

C.VGSVth，VDS≥VGS-Vth

D.VGSVth，VDSVGS-Vth

4.测量半导体器件的栅源阈值电压(Vth)时，通常需要将漏源电压(VDS)设置为多少？

A.零伏

B.一个小的固定正值（例如0.1V或0.5V）

C.一个大的固定正值（