基于单晶石墨烯高性能射频纳米开关研究.pdfVIP

T2B.002

基于单晶石墨烯的射频纳米开关

1,221

精密测量技术与仪器国家重点，精密仪器系，中

国2机械工程系，明尼苏达大学，明尼阿波利斯，MN，

甲基丙烯酸酯辅助工艺。最后，使用微制造工艺了

了使用低压化学气相沉积（LPCVD）方法生自由站立的单晶石墨烯纳米机电开关。

长单层单晶石墨烯。首次实现了基于共面波导双端固定

单晶石墨烯膜的射频（RF）纳米开关。由于其单晶特性，

其（5000次）远长于多晶石墨烯（PCG）开关

（4‑5次[1]）。它表现出较低的拉入电压（~1V）和卓

越的信号度（在40GHz时为~30dB），并且可以

通过石墨烯的独特电场效应进一步改善。

石墨烯，单晶，射频，RF开关

引言

动机

纳米机电系统（NEMS）开关是一个迅速发展的研

究领域，具有广阔的应用前景[2]。与现有的金属氧化物

（MOS）开关相比，NEMS开关具有理想的零直

流关断电流和高频下的出色性能。石墨烯[3],是一