DB13_T5695-2023_GaNHEMT射频器件陷阱效应测试方法_河北省.docxVIP

ICSCCS31.080L4013标河北省地方准DB13/T5695—2023GaNHEMT射频器件陷阱效应测试方法2023-05

ICS

CCS

31.080

L40

13

标

河

北

省

地

方

准

DB13/T5695—2023

GaN

HEMT射频器件陷阱效应测试方法

2023-05-06发布

2023-06-06实施

河北省市场监督管理局

发布

DB13/T5695—2023目次前言 II引言 III1范围 12规范性引用文件 13术语

DB13/T5695—2023

目

次

前言 II

引言 III

1

范围 1

2

规范性引用文件 1

3

术语和定义 1

4

测试原理 2

5

测试环境 2

6

测试系统 2

7

测试步骤 3

8

试验数据处理 4

9

试验报告 4

参考文献 6

I

DB13/T5695—2023前言本文件按

DB13/T5695—2023

前

言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

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本文件起草单位