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宽禁带半导体外延缺陷控制技术进展

一、引言

宽禁带半导体以其高击穿电场、高电子饱和漂移速度、高热导率等优异特性，成为功率电子、射频通信、光电探测等领域的核心材料，其中碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）是当前应用最为广泛的两类宽禁带半导体（中国电子学会，2020）。外延生长是制备高性能宽禁带半导体器件的关键环节，通过在衬底上逐层沉积单晶薄膜，构建器件的有源区与功能层。然而，外延过程中受晶格失配、热失配、杂质引入等因素影响，极易产生位错、层错、空位、杂质团簇等各类缺陷，这些缺陷会显著降低载流子迁移率、增加器件漏电流、缩短器件使用寿命，严重制约宽禁带半导体器件的性能提升与大规模应用（张某某等，2019）。

随着宽禁带半导体产业的快速发展，外延缺陷控制技术成为行业研究的核心方向之一。近年来，从传统工艺优化到新兴技术突破，缺陷控制水平不断提升，为制备低缺陷密度、高稳定性的外延层提供了多种解决方案。本文将围绕宽禁带半导体外延缺陷的类型与危害，依次阐述传统缺陷控制技术的优化、新兴控制技术的突破，以及表征技术对缺陷控制的支撑作用，最后对未来技术发展趋势进行展望。

二、宽禁带半导体外延缺陷的类型与危害

（一）常见外延缺陷类型

宽禁带半导体外延层中的缺陷可分为结构缺陷与杂质缺陷两大类。结构缺陷主要包括位错、层错、堆垛层错与微裂纹：位错是外延层中最普遍的结构缺陷，按形态可分为刃型位错、螺型位错与混合位错