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半导体离子注入工艺工程师笔试试题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题只有一个正确答案，请将正确选项字母填入括号内）

1.在原子物理中，将原子中的一个或多个电子从其特定能级（通常是基态）激发到较高能级的过程称为？

A.电离

B.蒸发

C.输运

D.压缩

2.离子注入过程中，离子获得的动能主要来源于？

A.离子源的热能

B.样品台的旋转动能

C.加速电极施加的电势差

D.真空系统产生的压力能

3.在离子注入设备中，用于将离子从源区引出并初步聚焦的部件通常是？

A.样品台

B.偏转板

C.真空阀门

D.阴极和加速电极

4.表示单位时间内通过单位面积的离子数量，其物理单位通常是？

A.库仑/秒·厘米2

B.离子/厘米2·秒

C.安培/厘米2

D.摩尔/秒·厘米2

5.当离子注入非晶硅时，入射离子的能量通常会转化为哪种形式的损伤？

A.化学键断裂

B.晶体缺陷（空位、间隙原子）

C.温升

D.上述所有

6.在离子注入工艺中，用于精确控制注入离子数量的参数是？

A.注入能量

B.注入时间