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2026年半导体芯片设计工程师校招笔试真题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题只有一个正确选项，请将正确选项的首字母填入括号内）

1.在半导体器件中，PN结的反向偏置特性主要体现在（）。

A.电流急剧增大

B.电阻几乎为零

C.电流非常小，近似于开路

D.电压急剧下降

2.MOSFET器件中，栅极电压相对于源极电压控制沟道形成和电流导通，当栅极电压低于阈值电压时，增强型MOSFET处于（）状态。

A.饱和导通

B.截止

C.可变电阻

D.击穿

3.下列逻辑门中，实现“与非”逻辑功能的是（）。

A.与门

B.或门

C.与非门

D.异或门

4.在组合逻辑电路中，用于数据选择功能的器件是（）。

A.编码器

B.译码器

C.数据选择器

D.加法器

5.一个4位二进制计数器，其最大计数状态是（）。

A.1111

B.1000

C.1110

D.1010

6.时序逻辑电路与组合逻辑电路的根本区别在于（）。

A.使用的门电路不同

B.包含存储元件

C.输出只