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毕业设计（论文）报告
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二维ReSe2不对称肖特基势垒二极管的制备及其性能研究
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二维ReSe2不对称肖特基势垒二极管的制备及其性能研究
摘要：本文主要研究了二维ReSe2不对称肖特基势垒二极管的制备及其性能。首先，通过分子束外延法制备了二维ReSe2薄膜，并采用离子束刻蚀和金属电极沉积技术构建了不对称肖特基势垒二极管结构。通过对器件的电学特性进行测试和分析，研究了器件的开启电压、击穿电压、反向漏电流等关键参数。结果表明，该器件具有较低的开启电压和较
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