CN119480631A 半导体器件及其制造方法 （瑞萨电子株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119480631A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202410779246.7

(22)申请日2024.06.17

(30)优先权数据

2023-1269512023.08.03JP

(71)申请人瑞萨电子株式会社地址日本东京都

(72)发明人山口直井上慎治

(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256

专利代理师姚宗妮

(51)Int.Cl.

H01L21/285(2006.01)

C23C16/455(2006.01)

C23C16/40(2006.01)

H01L21/04(2006.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D30/66(2025.01)

权利要求书2页说明书12页附图14页

(54)发明名称

半导体器件及其制造方法

(57)摘要

CN119480631A本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。提高了半导体器件的可靠性。在本公开中，通过ALD方法在使用包含卤族元素和金属元素的材料气体的工艺中，在碳化硅半导体衬底上

CN119480631A

CN119480631A权利要求书1