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2025年电子器件考试及答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.关于本征半导体的载流子浓度，以下描述正确的是（）

A.电子浓度大于空穴浓度

B.空穴浓度大于电子浓度

C.电子与空穴浓度相等且仅由温度决定

D.电子与空穴浓度相等且与材料禁带宽度无关

答案：C

2.PN结外加正向电压时，耗尽层宽度会（）

A.变宽

B.变窄

C.不变

D.先变宽后变窄

答案：B

3.某NPN型BJT的共射极电流放大系数β=100，若基极电流IB=20μA，则集电极电流IC约为（）

A.2mA

B.20mA

C.0.2mA

D.200μA

答案：A（IC=β×IB=100×20μA=2000μA=2mA）

4.场效应管（FET）的工作原理主要依赖于（）

A.多数载流子的漂移运动

B.少数载流子的扩散运动

C.PN结的正向导通

D.电场对导电沟道的调制

答案：D

5.硅材料的禁带宽度（300K时）约为（）

A.0.67eV

B.1.12eV

C.1.42eV

D.2.2eV

答案：B

6.肖特基二极管与普通PN结二极管相比，主要优势是（）

A.反向击穿电压更高

B.正向导通压降更小，开关速度更快

C.反向漏