CN119730470A 一种基于双曲材料的近场辐射填充式结构及方法 (哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)).pdfVIP

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  • 2026-05-06 发布于重庆
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CN119730470A 一种基于双曲材料的近场辐射填充式结构及方法 (哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119730470A

(43)申请公布日2025.03.28

(21)申请号202510250547.5H10F19/80(2025.01)

H10N10/855(2023.01)

(22)申请日2025.03.04

H10N10/01(2023.01)

(71)申请人哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工

业大学深圳科技创新研究院)

地址518000广东省深圳市南山区桃源街

道深圳大学城哈尔滨工业大学校区

(72)发明人杨月廖昭乐姚星宇陈哲锴

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