CN119490725A 一种耐高温的电磁屏蔽石墨烯薄膜及其制备方法和应用 (常州宏巨电子科技有限公司).docxVIP

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  • 2026-05-03 发布于山西
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CN119490725A 一种耐高温的电磁屏蔽石墨烯薄膜及其制备方法和应用 (常州宏巨电子科技有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119490725A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202411946126.8

(22)申请日2024.12.27

(71)申请人常州宏巨电子科技有限公司

地址213000江苏省常州市钟楼区西林街

道张家村委沈江家边118号

(72)发明人宋晓云陆寅姚振豪刘水国魏彬彬张琪宋涛张侃

(74)专利代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204

专利代理师孙斌

(51)Int.Cl.

C08L61/34(2006.01)

C08J5/18(2006.01)

H05K9/00(2006.01)

C08K3/04(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图4页

(54)发明名称

一种耐高温的电磁屏蔽石墨烯薄膜及其制

备方法和应用

(57)摘要

本发明公开了一种耐高温的电磁屏蔽石墨烯薄膜及其制备方法和应用,该薄膜材料是由共轭结构的苯并噁嗪与单层石墨烯混合组装后升温固化得到;所述共轭结构的苯并噁嗪的结构式如下所示。本发明制备的共轭结构苯并噁嗪/石墨烯薄膜体系中石墨烯与苯并噁嗪通过共轭作用自组装,使薄膜材料的取向度提高,赋予了材料优异的导电性和电磁屏蔽等特性,固化后得复合材料800℃下残炭率大于70%,具有

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