CN119767780A 一种在沟槽中沉积应力介质层的方法及浅沟槽隔离结构 .pdfVIP

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  • 2026-05-03 发布于重庆
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CN119767780A 一种在沟槽中沉积应力介质层的方法及浅沟槽隔离结构 .pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119767780A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202510262514.2

(22)申请日2025.03.06

(71)申请人合肥晶合集成电路

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