CN119742224A 在栅极之间的沟槽中沉积应力介质层的方法及半导体器件 .pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119742224A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202510262515.7

(22)申请日2025.03.06

(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

地址230012安徽省合肥市新站区合肥综

合保税区内西淝河路88号

(72)发明人张伟卢涛周纪苏圣哲

罗钦贤

(74)专利代理机构北京维昊知识产权代理事务

所(普通合伙)11804

专利代理师顾皓辉

(51)Int.Cl.

H01L21/02(2006.01)

H10D64/01(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

H0