CN119789458A 一种低阻分离沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 .pdfVIP

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  • 2026-05-04 发布于重庆
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CN119789458A 一种低阻分离沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 .pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119789458A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202510267498.6H10D30/66(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

(22)申请日2025.03.07

H10D62/13(2025.01)

(71)申请人泰科天润半导体科技(北京)有限公

地址101300北京市顺义区中关村科技园

区顺义园临空二路1号

(72)发明人李昀佶周海施广彦何佳

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