CN110838488A 半导体装置与其形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110838488A

(43)申请公布日2020.02.25

(21)申请号201910747774.3

(22)申请日2019.08.14

(30)优先权数据

15/998,7802018.08.15US

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人蔡承晏黄铭淇陈昱璇李威缙洪正隆李达元张文苏庆煌

(74)专利代理机构隆天知识产权代理有限公司72003

代理人谢强闫华

(51)Int.Cl.

H01L27/088(2006.01)

H01L21/8234(2006.01)

H01L29/06(2006.01)

权利要求书2页说明书13页附图31页

(54)发明名称

半导体装置与其形成方法

(57)摘要

CN110838488A本公开提供了一种半导体装置与其形成方法，在一实施例中，该方法包括：形成栅极介电层于界面层上；形成掺杂层于栅极介电层上，且掺杂层包括偶极诱发元素；退火掺杂层以驱使偶极诱发元素穿过栅极介电层至栅极介电层与界面层相邻的第一侧；移除掺杂层；形成牺牲层于栅极介电层上，与栅极介电层跟牺牲层相邻的第二侧的残留的偶极诱发元素与牺牲层的材料反应；

CN110838488A

CN1108