CN110417373A 一种频率可调的横向场激励薄膜体声波谐振器及制备方法 (华南理工大学).docxVIP

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  • 2026-05-04 发布于山西
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CN110417373A 一种频率可调的横向场激励薄膜体声波谐振器及制备方法 (华南理工大学).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110417373A

(43)申请公布日2019.11.05

(21)申请号201910675732.3

(22)申请日2019.07.25

(71)申请人华南理工大学

地址510640广东省广州市天河区五山路

381号

(72)发明人章秀银薛艳梅吴子莹周长见

(74)专利代理机构广州市华学知识产权代理有限公司44245

代理人王东东

(51)Int.Cl.

H03H3/02(2006.01)

H03H9/02(2006.01)

H03H9/13(2006.01)

H03H9/17(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图5页

(54)发明名称

一种频率可调的横向场激励薄膜体声波谐

振器及制备方法

(57)摘要

CN110417373A本发明公开了一种频率可调的横向场激励薄膜体声波谐振器及制备方法,由上至下依次包括电极铝、压电基片钽酸锂、温度补偿层二氧化硅及衬底硅;所述衬底设有空腔,空腔与贯穿于温度补偿层、压电基片的释放通孔相通,所述压电基片为单晶材料。本发明在不改变压电基片的

CN110417373A

CN110417373A权利要求书

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