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半导体硬件工程师高级笔试试题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题只有一个正确答案，请将正确选项的首字母填入括号内。每题2分，共20分）

1.在设计一个高精度的低频模拟电路时，为了最大限度地抑制噪声，通常优先考虑将运算放大器的（）反馈。

A.电压串联

B.电压并联

C.电流串联

D.电流并联

2.对于一个工作在饱和区的nMOSFET，其漏极电流ID主要由以下哪个因素决定？（假设VGSVth且VDSVGS-Vth）

A.VGS

B.VDS

C.IDSS

D.gm

3.在CMOS反相器中，为了提高电源抑制比（PSRR），通常采用以下哪种结构？（假设负载为纯容性CL）

A.串联电阻负载

B.并联电阻负载

C.有源负载（共源共栅）

D.电流源负载

4.在PLL（锁相环）电路中，压控振荡器（VCO）的主要功能是？

A.产生精确的参考时钟

B.对输入信号进行放大

C.根据输入误差信号调整输出频率

D.提供频率选择功能

5.在高速数字电路设计中，信号完整性问题主要源于？

A.电源噪声

B.信号串扰

C.时序违规