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- 2026-05-08 发布于北京
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APM9435
P‑沟道增强型MOSFET
特性引脚描述
•‑30V/‑4.6A,RDS(ON)=52mΩ(典型值)@VGS=‑
10VRDS(ON)=80mΩ(典型值)@VGS=‑4.5VS18D
•密度单元设计S27D
•可靠且坚固S36D
•SO‑8封装G45D
SO−8
应用
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