表面化学分析 X射线光电子能谱 氧化硅层厚度的测量.pdfVIP

表面化学分析X射线光电子能谱

氧化硅层厚度的测量

1范围

本文件规定了采用X射线光电子能谱技术测量(100)和(111)硅晶片表面氧化物层厚度作为二氧化硅

等效厚度的几种方法。本文件仅适用于平整、抛光的样品，以及配备铝或镁X射线源、可确定光电子发

射角度的样品台和带有可限定在小于6°锥半角的输入透镜的能谱仪器。对于厚度在1nm到8nm范围内的

热氧化物，使用本文件中描述的最佳方法，在95%的置信水平下，不确定度通常约为2%，最佳情况下

约为1%。另外本文件还提供了一种更简单的方法，其不确定度稍差，但通常也能满足要求。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

ISO18115-1，表面化学分析词汇第1部分：通用术语及谱学中的术语（Surfacechemicalanalysis

—Vocabulary—Part1:Generaltermsandtermsusedinspectroscopy）

注：GB/T22461.1—2023表面化学分析词