GaN功率器件射频电路设计技术研发项目可行性研究报告.docx

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GaN功率器件射频电路设计技术研发项目可行性研究报告

第一章总论

项目概要

项目名称

GaN功率器件射频电路设计技术研发项目

建设单位

深圳创芯微波技术有限公司于2023年5月在广东省深圳市南山区市场监督管理局注册成立,属于有限责任公司,注册资本金5000万元人民币。主要经营范围包括半导体器件研发、射频电路设计、电子元器件生产与销售、集成电路设计及相关技术服务(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)。

建设性质

新建(研发+中试)

建设地点

广东省深圳市南山区高新技术产业园南区

投资估算及规模

本项目总投资估算为38650万元,其中一期工程投资22890万元,二期工程投资1

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