CN119497366A 一种半导体器件及其制造方法、存储器系统 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119497366A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202311031372.6

(22)申请日2023.08.15

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430074湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人赵冬雪杨远程杨涛孙昌志刘磊周文犀夏志良霍宗亮

(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270

专利代理师罗晶瑾王黎延

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

权利要求书3页说明书16页附图12页

(54)发明名称

一种半导体器件及其制造方法、存储器系统

(57)摘要

CN119497366A本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法、存储器系统。该制造方法包括：形成第一晶体管；在所述第一晶体管上形成电容；其中，所述电容包括第一电极、介质层和第二电极；在所述电容上形成第二晶体管；其中，所述第一晶体管的源极或者漏极和所述电容的第二电极连接，

CN119497366A

CN119497366A权利要求书1/3页

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1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，