CN119501800A 针对晶圆薄膜抛光过程的在线原位厚度测量方法及设备 （北京特思迪半导体设备有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119501800A

(43)申请公布日2025.02.25

(21)申请号202510099431.6

(22)申请日2025.01.22

(71)申请人北京特思迪半导体设备有限公司

地址101300北京市顺义区杜杨北街3号院

6号楼（顺创）

(72)发明人蒋继乐孟炜涛周惠言孙昕宇

(51)Int.Cl.

B24B37/013(2012.01)

B24B49/12(2006.01)

B24B37/04(2012.01)

权利要求书3页说明书13页附图3页

(54)发明名称

针对晶圆薄膜抛光过程的在线原位厚度测

量方法及设备

(57)摘要

CN119501800A本发明提供一种针对晶圆薄膜抛光过程的在线原位厚度测量方法及设备，所述方法包括第一测量阶段和第二测量阶段，其中第一测量阶段包括在对晶圆薄膜进行抛光的过程中，利用多波长光束测量所述晶圆薄膜的厚度，并监测厚度是否达到阈值；第二测量阶段包括在厚度达到阈值后对晶圆薄膜进行抛光的过程中，采集所述晶圆薄膜对单波长光束的反射光的光强度对应的电信号，利用所述电信号确定晶圆薄膜的厚度，其

CN119501800A

CN119501800A权利要求书