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2026年临港集成电路产业工艺工程师面试题集

一、基础知识（共5题，每题8分，总分40分）

1.单选题：在集成电路制造中，以下哪种工艺步骤主要用于形成器件的栅极结构？（A）光刻（B）刻蚀（C）离子注入（D）化学机械抛光

2.单选题：临港集成电路产业的核心优势之一是“一站式”服务，下列哪项不属于其配套产业？（A）特种气体供应（B）高端设备制造（C）芯片封测（D）汽车零部件生产

3.单选题：在湿法刻蚀中，若要去除硅表面的二氧化硅，通常采用哪种化学溶液？（A）HF（氢氟酸）（B）HNO?（硝酸）（C）H?SO?（硫酸）（D）NH?OH（氨水）

4.单选题：临港集成电路制造中，以下哪种缺陷会导致器件短路？（A）针孔（B）颗粒（C）金属污染（D）边缘粗糙

5.单选题：原子层沉积（ALD）技术的核心优势是？（A）沉积速率快（B）膜层均匀性高（C）设备成本低（D）工艺兼容性强

二、工艺流程分析（共3题，每题10分，总分30分）

1.简答题：简述临港集成电路制造中“自对准技术”的原理及其在工艺中的应用场景。

2.简答题：分析在深紫外光刻（DUV）工艺中，如何减少“光刻胶残留”问题？

3.简答题：临港某芯片厂采用“铜互连工艺”，请说明退火步骤的作用及常见问题。

三、问题解决与故障排除（共4题，每题12分，总分48分）

1.案例分析题：