CN120288772A 一种高纯亚微米级3C-SiC粉体的制备方法 (北京科技大学).pdfVIP

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  • 2026-05-07 发布于重庆
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CN120288772A 一种高纯亚微米级3C-SiC粉体的制备方法 (北京科技大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120288772A

(43)申请公布日2025.07.11

(21)申请号202510285063.4

(22)申请日2025.03.11

(71)申请人北京科技大学

地址100083北京市海淀区学院路30号

(72)发明人李斌邢韵陈俊红李广奇

林欢刘元会李阳任博

(74)专利代理机构北京市广友专利事务所有限

责任公司11237

专利代理师于春晓张仲波

(51)Int.Cl.

C01B32/97(2017.01)

权利要求书1页说明书3页

(54)发明名称

一种高纯亚微米级3C-Si

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