碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）测试方法 第2部分：栅极电荷编制说明.pdfVIP

国家标准《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC

MOSFET）测试方法第2部分：栅极电荷》（征求意见稿）

编制说明

一、工作简况

1、任务来源

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）测试方法第2

部分：栅极电荷》是国家标准化管理委员会下达的2026年推荐性国家标准采信团

体标准计划项目，计划项目代号T339。由中华人民共和国工业和信

息化部（电子）提出，全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口，

主要承办单位：东南大学，项目周期为6个月。

2、制定背景

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）具有阻断电压高、

工作频率高、耐高温能力强、导通电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、

高压功率系统中。随着器件工艺成熟与性能不断提升，SiCMOSFET被应用于新

能源汽车、航空航天、石油勘探、核能、通信等高温、高频的严苛工况场景。

栅极电荷是评价功率器件性能的关键参数，特别是对于开关和驱动器损耗计

算，完整提取开关过程中不同阶段栅极电荷，对器件性能评估以及系统电路设计

具有重要意义。由