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脉冲激光沉积制备ZnMgO合金的工艺与性能研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广阔领域中，ZnMgO合金作为一种极具潜力的新型材料，近年来备受科研人员的关注。ZnO，作为一种II-VI族直接宽带隙半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，拥有较高的激子束缚能（60meV），这一特性保证了室温下高效的激子发射以及紫外发光，使其在短波长光学器件领域展现出巨大的应用潜力，如紫外探测器、发光二极管和激光二极管等。然而，随着科技的飞速发展，对半导体材料性能的要求也日益提高，单纯的ZnO材料在某些应用场景中逐渐显现出局限性。

为了进一步拓展ZnO的应用范围，提升其性