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集成电路基础工艺和版图设计测试试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

选择题（每题2分，共20分）

1.下列半导体材料中，制造集成电路最常用的是（）。

A.锗（Ge）

B.硅（Si）

C.砷化镓（GaAs）

D.碳化硅（SiC）

2.光刻工艺中，实现图形转移的核心步骤是（）。

A.涂胶

B.前烘

C.曝光

D.显影

3.CMOS工艺中，P阱的掺杂目的是（）。

A.形成NMOS的源漏区

B.形成PMOS的导电沟道

C.隔离NMOS与PMOS

D.调整阈值电压

4.下列光刻胶类型中，曝光后溶解的是（）。

A.正性光刻胶

B.负性光刻胶

C.化学放大光刻胶

D.环氧光刻胶

5.离子注入工艺中，控制掺杂深度的主要参数是（）。

A.注入剂量

B.注入能量

C.衬底温度

D.光刻胶厚度

6.在标准CMOS工艺中，NMOS管的源漏区是（）。

A.P型掺杂

B.N型掺杂

C.本征硅

D.多晶硅

7.下列工艺步