CN119519640A 一种基于新型牺牲层工艺的baw器件制备方法 （杭州电子科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119519640A

(43)申请公布日2025.02.25

(21)申请号202510080364.3

(22)申请日2025.01.20

(71)申请人杭州电子科技大学

地址310000浙江省杭州市杭州经济开发

区白杨街道2号大街1158号

(72)发明人轩伟鹏郭欣宇董树荣金浩李文钧孙玲玲刘军骆季奎

(74)专利代理机构杭州天勤知识产权代理有限

公司33224

专利代理师姜超

(51)Int.Cl.

H03H3/02(2006.01)

H03H9/02(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图14页

(54)发明名称

一种基于新型牺牲层工艺的BAW器件制备方

法

(57)摘要

CN119519640A本发明公开了一种基于新型牺牲层工艺的BAW器件的制备方法，该制备方法将ZnO作为牺牲层的材料，采用稀盐酸溶液作为腐蚀溶液，在将ZnO完全腐蚀的同时，还能够避免稀盐酸溶液将绝缘层和介质层腐蚀掉，获得高性能的BAW器件，同时实现与其他无源器件的片上集成。本发明采用ZnO作为牺牲层，由于其具有与压电层相同的纤锌矿型结构，因此可以用来诱导压电震荡堆的第一电极的晶粒排列，有利于第一电极薄膜择优取向生长，从而进一步使压电层薄膜择优取向生长