CN119521689A 半导体整流器件及其制造方法 （达尔科技股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119521689A

(43)申请公布日2025.02.25

(21)申请号202310996087.1

(22)申请日2023.08.08

(71)申请人达尔科技股份有限公司地址美国德克萨斯州

(72)发明人龙涛陈则瑞黃品豪黄宝顺

(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287

专利代理师陈甜甜

(51)Int.Cl.

H10D8/60(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D8/01(2025.01)

权利要求书2页说明书6页附图11页

(54)发明名称

半导体整流器件及其制造方法

(57)摘要

CN119521689A本申请涉及半导体整流器件及其制造方法。半导体整流器件包括：外延层，具有彼此相对的顶表面以及底表面；第一掺杂区，位于外延层中，其中第一掺杂区具有第一导电型；第一沟槽结构，位于第一掺杂区中，自顶表面往底表面延伸；第二沟槽结构，位于第一掺杂区中，自顶表面往底表面延伸且与第一沟槽结构相邻；第二掺杂区，位于第一沟槽结构与第二沟槽结构之间的外延层中，自顶表面往底表面延伸，其中第二掺杂区具有第二导电型，且第二掺杂区的深度小于第一沟槽结构的深度；以及金属层，位于外延层的顶表面，覆盖第一沟槽结构、第二沟槽