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CN119521865A 一种超薄隧道结深紫外led芯片及其制造方法 （武汉大学）.docxVIP

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  • 2026-05-10 发布于山西
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CN119521865A 一种超薄隧道结深紫外led芯片及其制造方法 （武汉大学）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119521865A

    (43)申请公布日2025.02.25

    (21)申请号202311044355.6

    (22)申请日2023.08.16

    (71)申请人武汉大学

    地址430072湖北省武汉市武昌区八一路

    299号

    (72)发明人周圣军杜鹏钱胤佐周千禧

    (74)专利代理机构武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222

    专利代理师张火春

    (51)Int.Cl.

    H10H20/01(2025.01)

    H10H20/811(2025.01)

    H10H20/825

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