CN119517741A 半导体结构的蚀刻方法 （联芯集成电路制造(厦门)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119517741A

(43)申请公布日2025.02.25

(21)申请号202311017655.5

(22)申请日2023.08.14

(71)申请人联芯集成电路制造（厦门）有限公司

地址361101福建省厦门市翔安区万家春

路899号

(72)发明人刘艳杰杜兵刘来教顾海龙黄清俊谈文毅

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105

专利代理师王锐

(51)Int.Cl.

H01L21/311(2006.01)

H10D84/03(2025.01)

权利要求书2页说明书6页附图2页

(54)发明名称

半导体结构的蚀刻方法

(57)摘要

CN119517741A本发明提供一种半导体结构的蚀刻方法，包含提供一基底，基底上包含有一栅极结构，栅极结构旁边包含有一氧化层以及一第一氮化层，以及进行一蚀刻步骤，以移除第一氮化层并且保留氧化层，其中蚀刻步骤中，蚀刻氮化层与蚀刻氧

CN119517741A

CN119517741A权利要求书1/2页

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1.一种半导体结构的蚀刻方法，包含:

提供基底，该基底上包含有栅极结构，该栅极结构旁边包含有氧化