CN119517142A 存储子阵列单元、存储芯片、内存条以及老化测试方法 （长鑫科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119517142A

(43)申请公布日2025.02.25

(21)申请号202311009250.7

(22)申请日2023.08.08

(71)申请人长鑫科技集团股份有限公司

地址230601安徽省合肥市经济技术开发

区空港工业园兴业大道388号

(72)发明人翟玉龙

(51)Int.Cl.

G11C29/56(2006.01)

G06F11/22(2006.01)

权利要求书2页说明书11页附图4页

(54)发明名称

存储子阵列单元、存储芯片、内存条以及老

化测试方法

(57)摘要

CN119517142A本申请涉及一种存储子阵列单元、存储芯片、内存条以及老化测试方法。其中，存储子阵列单元包括：多个存储单元，呈多行多列排布，存储单元包括晶体管与电容器；多条位线，沿存储单元排布的列方向延伸，且沿存储单元排布的行方向排列，同一位线连接位于同一列的晶体管；多条伪位线，沿存储单元排布的列方向延伸，且沿存储单元排布的行方向排列，在行方向上，多条伪位线分布于多条位线所在区域的两侧，且多条伪位线包括第一检测伪位线，第一检测伪位线与位线相邻；开关模块，包括第一开关，第一开关一端连接第一检测伪位线，另一端用于接入第一电源电压。本申请实施例可以降低伪字线与字线短

CN11951714