CN120112063A 一种基于微米级制绒硅的新结构二端钙钛矿-硅叠层太阳电池及制备方法 .pdfVIP

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  • 2026-05-10 发布于重庆
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CN120112063A 一种基于微米级制绒硅的新结构二端钙钛矿-硅叠层太阳电池及制备方法 .pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120112063A

(43)申请公布日2025.06.06

(21)申请号202510260515.3H10K71/00(2023.01)

H10F71/00(2025.01)

(22)申请日2025.03.06

(71)申请人浙江大学

地址310058浙江省杭州市西湖区余杭塘

路866号

(72)发明人余学功张道永杭鹏杰杨德仁

(74)专利代理机构杭州求是专利事务所有限公

司33200

专利代理师邱启旺

(51)Int.Cl.

H10K39/

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