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CN119521783A 半导体结构及其形成方法、存储器系统 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

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  • 2026-05-10 发布于山西
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CN119521783A 半导体结构及其形成方法、存储器系统 （长江存储科技有限责任公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119521783A

    (43)申请公布日2025.02.25

    (21)申请号202311003052.X

    (22)申请日2023.08.09

    (71)申请人长江存储科技有限责任公司

    地址430074湖北省武汉市东湖新技术开

    发区未来三路88号

    (72)发明人吴启漆林

    (74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270

    专利代理师罗晶瑾王黎延

    (51)Int.Cl.

    H10D89/60(2025.01)

    H10B41/20(2023.01)

    H10B41/35(20

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