- 0
- 0
- 约2万字
- 约 23页
- 2026-05-12 发布于山西
- 举报
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN119522191A
(43)申请公布日2025.02.25
(21)申请号202380053371.3
(22)申请日2023.08.17
(30)优先权数据
10-2022-01077782022.08.26KR
(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.01.13
(86)PCT国际申请的申请数据
PCT/KR2023/0122032023.08.17
(87)PCT国际申请的公布数据
WO2024/043616KO2024.02.29
(71)申请人株式会社LG化学
地址韩国首尔
(72)
您可能关注的文档
- CN119521693A 半导体器件及其制造方法 (深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司).docx
- CN119521703A 一种低阻高可靠沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 (泰科天润半导体科技(北京)有限公司).docx
- CN119521704A 氮化镓器件及其制备方法 (中兴通讯股份有限公司).docx
- CN119521711A 半导体结构及其形成方法 (浙江创芯集成电路有限公司).docx
- CN119521717A 半导体结构及其形成方法 (中芯国际集成电路制造(上海)有限公司).docx
- CN119521723A 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 (无锡华润上华科技有限公司).docx
- CN119521732A 半导体结构及其形成方法 (中芯国际集成电路制造(上海)有限公司).docx
- CN119521742A 半导体器件、制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆 (长飞先进半导体(武汉)有限公司).docx
- CN119521743A 一种半导体结终端结构及其制作方法 (强华时代(成都)科技有限公司).docx
- CN119521744A 晶体管及其制造方法、存储器和电子设备 (北京超弦存储器研究院).docx
原创力文档

文档评论(0)