晶圆制造资料0.8um_5V_CMOS_process_flow.pdfVIP

（Confi）

1~4waferstart

1.WaferStartPTYPE100,8-12OHM-CM100晶向：具较小的缺陷密度，可

生长质量好的氧化层.

2.Waferlasermark

3.Scrubbercleanafterwaferlasermark

4.C1clean

5~18N-wellimplant

5.Padoxide(1000degc;Tox:350A)作用：作为nitride的垫底，抵消nitride与Si直接接

触的应力.机台：1F1，1F2，2F1，2F2，5F1，5F2，5F4，6F1

6.SiNdeposition(Thickness:1500ANG)作用：作为N-WellIMP.幕罩，为后续

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TwinWell的形成作准备，LPCVD反应式：SiH2Cl2+7NH3Si3N4+3NH4Cl+3HCl+6H2

机台：1F4，2F4，9F1