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有机场效应晶体管简介概述

1.1有机场效应晶体管的基本结构与工作原理

根据栅电极、源/漏电极、介电层、有机半导体层的相对位置不同将OFETs分为如图2-1所示的四种基本结构，分别为底栅底接触、底栅顶接触、顶栅底接触和顶栅顶接触。

（a）底栅底接触OFETs

（b）底栅顶接触OFETs

（c）顶栅底接触OFETs

（d）顶栅顶接触OFETs

图2-1OFETs的四种基本结构

Fig.2-1ThefourbasicstructuresofOFETs

根据栅电极位置的不同，又将OFETs分为底栅器件和顶栅器件，主要区别在于有源层、介电层和栅电极的沉积顺序。在顶栅结