CN119786399A 一种半导体刻蚀工艺参数优化方法、装置及存储介质 （亿芯微半导体科技(深圳)有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119786399A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202510281293.3

(22)申请日2025.03.11

(71)申请人亿芯微半导体科技（深圳）有限公司

地址518000广东省深圳市坪山区坑梓街

道金沙社区临惠路21号中城生物医药

产业园2栋5C

(72)发明人周永强罗旺宝张仁福刘伯阳

王家清

(74)专利代理机构北京华艺德嘉知识产权代理

有限公司16326

专利代理师李斌

(51)Int.Cl.

H01L21/67(2006.01)

G06F17/10(2006.01)

G06N