CN119526258A 基于抛光过程的单波长光束测厚、标定库构建方法及设备 （北京特思迪半导体设备有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119526258A

(43)申请公布日2025.02.28

(21)申请号202510099536.1

(22)申请日2025.01.22

(71)申请人北京特思迪半导体设备有限公司

地址101300北京市顺义区杜杨北街3号院

6号楼（顺创）

(72)发明人周惠言孟炜涛孙昕宇蒋继乐

(51)Int.Cl.

B24B37/013(2012.01)

B24B49/12(2006.01)

B24B37/04(2012.01)

G06F16/245(2019.01)

G06F16/28(2019.01)

权利要求书2页说明书7页附图2页

(54)发明名称

基于抛光过程的单波长光束测厚、标定库构

建方法及设备

(57)摘要

CN119526258A本发明提供一种基于抛光过程的单波长光束测厚、标定库构建方法及设备，所述标定库构建方法包括：在晶圆薄膜的抛光过程中利用多波长光束在线原位测量所述晶圆薄膜的厚度，并在多个不同厚度下获取所述晶圆薄膜对单波长光束的反射光的光强度对应的电信号；基于所述电信号随着晶圆薄膜厚度的变化呈现的周期性规律以及所述多个不同厚度对应的电信号的值，确定用于所述抛光过程中测量晶圆薄膜厚度的标

CN119526258A

CN1195