ArF浸没式光刻胶小分子浸出速率测量方法编制说明.docx

1

国家标准《ArF浸没式光刻胶的小分子浸出速率测量方法》

（征求意见稿）编制说明

一、工作简况

（一）任务来源

国家标准计划《ArF浸没式光刻胶的小分子浸出速率测量方法》，由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口并组织执行。计划编号T-469，项目周期16个月。

（二）制定背景

ArF光刻是当前全球产业应用量最大的先进光刻技术，ArF浸没式光刻胶可支撑最高7nm工艺，是我国产业发展的重点。ArF浸没式光刻胶是我国产业链严重受限制环节，国产化率低于1%，从光刻机到光刻工艺和光刻胶，只能依靠自主创新。ASML开发光刻机的同时，IMEC和日本企业已经参与光刻机、基础工艺和配套光刻胶的开发，液体浸出作为光刻胶基础性的测试，在光刻机、光刻胶及配套工艺开发的初期就已完成。在这种背景下，国外企业往往将液体浸出等关键性能指标视为基础数据库的一部分，作为机台准入的重要门槛。我国虽已有企业在ArF光刻胶研发上取得突破，但由于缺乏统一的液体浸出测试方法标准，企业在产品研发过程中难以对标国际先进水平，无法精准评估光刻胶性能，导致产品在量产阶段还存在可能对设备和芯片制造产线造成严重风险，阻碍了国产ArF光刻胶的产业化进程。

国家部署苏州实验室联合国内领先的高校科研院所上海集成电路材料研究院、上海计量院、中科院化学所、中科院微电子所