CN119538836A 针对局部击穿管理的沟槽结构载流导电控制方法及装置 （浙江广芯微电子有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119538836A

(43)申请公布日2025.02.28

(21)申请号202510099571.3

(22)申请日2025.01.22

(71)申请人浙江广芯微电子有限公司

地址323000浙江省丽水市莲都区南明山

街道七百秧街122号

(72)发明人谢刚刘斌凯潘文杰

(74)专利代理机构镇江至睿专利代理事务所(普通合伙)32529

专利代理师王恒静

(51)Int.Cl.

G06F30/367(2020.01)

G06F18/20(2023.01)

G06F18/213(2023.01)

G06F18/22(2023.01)

权利要求书3页说明书12页附图2页

(54)发明名称

针对局部击穿管理的沟槽结构载流导电控

制方法及装置

(57)摘要

CN119538836A本发明公开了针对局部击穿管理的沟槽结构载流导电控制方法及装置，涉及半导体制造相关领域，该方法包括：对半导体器件进行电场分布分析，识别电场集中结构、高电流密度区域、弱介质位置；进行局部击穿风险特征挖掘；基于风险特征对各位置分区进行沟槽结构配置匹配，建立匹配特征空间；进行沟槽结构搜索组合，将结构参数拟合至各位置分区内，进行结构功能匹配度、载流导电功能匹配度评价；筛选沟槽结构，集成至