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半导体行业先进封装混合键合技术调研报告

一、混合键合技术的定义与发展背景

混合键合技术（HybridBonding）是一种先进的半导体封装技术，通过将芯片与芯片、芯片与晶圆之间的金属互连和介质层直接键合，实现更小的互连间距和更高的集成密度。与传统的引线键合和倒装芯片技术不同，混合键合技术无需使用焊料或凸点，而是依靠原子间的作用力和化学键合来实现芯片间的电气连接和机械固定。

随着半导体技术的不断发展，摩尔定律逐渐逼近物理极限，传统的晶体管微缩技术面临着成本飙升、工艺难度增大等挑战。为了继续提升芯片的性能和集成度，行业开始转向先进封装技术，通过将多个芯片或晶圆在三维空间内进行堆叠和互连，实现系统级的集成。混合键合技术正是在这一背景下应运而生，它能够提供更小的互连间距（目前已达到10μm以下）和更高的互连密度，为实现三维集成和异质集成提供了关键的技术支撑。

混合键合技术的发展可以追溯到上世纪90年代，当时IBM等公司开始研究晶圆级键合技术。近年来，随着人工智能、5G、自动驾驶等新兴应用的快速发展，对芯片的性能、功耗和集成度提出了更高的要求，混合键合技术得到了业界的广泛关注和快速发展。目前，台积电、三星、英特尔等国际巨头均已推出了基于混合键合技术的先进封装解决方案，如台积电的CoWoS（ChiponWaferonSubstrate）、三星的I-Cube3和英特尔的Foveros等