CN120300066A 后段工艺中铜金属层的形成方法 (华虹半导体(无锡)有限公司).pdfVIP

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  • 2026-05-12 发布于重庆
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CN120300066A 后段工艺中铜金属层的形成方法 (华虹半导体(无锡)有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120300066A

(43)申请公布日2025.07.11

(21)申请号202510293694.0

(22)申请日2025.03.12

(71)申请人华虹半导体(无锡)有限公司

地址214028江苏省无锡市新吴区新洲路

30号

(72)发明人袁洋朱作华王函

(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限

公司31211

专利代理师戴广志

(51)Int.Cl.

H01L21/768(2006.01)

H01L21/311(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图3页

(54)发明名称

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